深圳市中立信电子科技有限公司

供应QPD2793美国QORVO氮化镓晶体管

频率值(MHz):2,620 频率值(MHz):2,690 增益(dB):23 Psat(dBm):53 PAE(%):75

供应QPD3800 美国QORVO氮化镓晶体管

频率值(MHz):3400 频率值(MHz):3800 增益(dB):21 Psat(dBm):49.3 PAE(%):70

供应QPD1013美国QORVO氮化镓晶体管

频率值(MHz):DC 频率值(MHz):2700 增益(dB):21.8 PAE(%):64.8 VD(V):65 Idq(mA):240

供应Silicon Labs数字隔离器SI8621EC-B-ISR

封装:SOIC-8 工作电源电压:2.5 - -5.5 V 功耗:超低功耗 温度范围:-40到125°C 环保:无铅包 包装数量:2500

供应射频放大器 50-860MHz AG606-G

封装:SOIC-8 类型:CATV Amplifier 工作电压:5.25 V 工作电流:165 mA

供应 时钟发生器 SI5351A-B-GMR

输入频率::27 MHz 输出频率::160 MHz 封装:QFN-20 工作电源电压::3.3V

供应CPC1008NTR

电压-负载:0v ~ 100V 电压,输入:1.2vdc 负载电流:150ma 封装:4-SOP

供应TQP3M9038 低噪声放大器

频率:50 - 4000 MHz 封装:QFN-16 电压:5V 电流:85mA

供应MRF275G

功率:150W 频率:100 MHz to 500 MHz 操作温度:- 65 C+ 150 C 增益:11.2 dB at 500 MHz

供应PH1214-220M

类型:NPN 功率:220W 频率:1.2-1.4 GHz 温度:-65 to +200 ℃

供应PH1214-25M

频率:1.2-1.4 GHz 功率:25w 温度:-65 to +200 ℃ 类型:NPN

供应PH1214-110M功率管

功率:110W 频率:1.2-1.4 GHz 类型:NPN 温度:-65 to +200 ℃

供应MRF448射频双极晶体管

晶体管极性::PNP VCEO::50V 输出功率::250W 温度:-65-150℃

供应MRF426射频功率晶体管M/A-COM

VCEO::35V VEBO:4V Pd-功率耗散:70W 工作频率:30 MHz

供应MRF10005

Transistor Type:NPN 击穿电压:55V 功率:25W 增益:8.5dB ~ 10.3dB

供应MAPRST0912-50射频功率管

功率:50W 电压:65V 温度:200°C 增益:10.16dB ~ 10.25dB

供应射频功率管MAPRST0912-350

晶体管类型:NPN 电压:65V 温度:200°C 功率:350W

供应MAPRST1030-1KS射频功率晶体管 M/A-COM

增益:8 dB 电压:50 V 功率:1000W 频率:1030MHz

供应射频收发器IC ML2730DM

频率:2.4ghz 电流:65ma ~ 120mA 操作温度:-20°~ 80°C 封装:40-VFQFN