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深圳市中立信电子科技有限公司
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IPP200N15N3G MOSFET N-Ch原裝 Infineon
Infineon
MOSFET
Si
Through Hole
PG-TO-220-3
1 Channel
N-Channel
150 V
50 A
20 mOhms
2 V
10 V
相关产品
产品信息
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
特性
•n通道，正常电平
•的门电荷x rds (on)产品(FOM)
·低通电阻rds (on)
•175°C的操作温度
•无pb铅电镀;通过无铅
•符合JEDEC1)目标应用要求
•适用于高频开关和同步整流
•根据IEC61249-2-21无卤
特性
•n通道，正常电平
•的门电荷x rds (on)产品(FOM)
·低通电阻rds (on)
•175°C的操作温度
•无pb铅电镀;通过无铅
•符合JEDEC1)目标应用要求
•适用于高频开关和同步整流
•根据IEC61249-2-21无卤
