深圳市中立信电子科技有限公司

特性输出是低侧、开漏的DMOS晶体管

输出额定值为33-V至100毫安

1•低rDS(上)、7Ω典型的反向电流的能力。每个输出提供一个

•雪崩能量,乔丹250 - 30 ma电流限制在TC = 25°C。的

•8个100毫安电流极限的功率DMOS晶体管输出随结温降低

持续增加电流，增加额外的设备保护。该设备

当使用人体模型和200-V测试250-mA电流极限能力时，还提供高达2500 V的ESD保护

•ESD保护，2500 V机器型号。

•输出箝位电压，33v

TPIC6C595的特点是可以操作

•设备Cascadable−40°C的操作情况下温度范围

•低功耗消费125°C。

设备信息(1)2应用

件号包体尺寸(NOM)

•设备集群

SOIC(16)9.90毫米×3.91毫米

•位移指示器灯

TPIC6C595 TSSOP(16)5.00毫米×4.40毫米

•LED照明和控制PDIP(16)19.30毫米×6.35毫米

•汽车继电器或螺线管

•驱动数据表的末尾。

3描述逻辑符号

TPIC6C595是一个整体中压，

低电流功率8位移位寄存器设计用于使用

在需要相对中等负载的系统中

led等电源。该设备包含一个内置的

电感暂态输出电压钳位

保护。电源驱动程序包括继电器，

螺线管等低电流或中压

负载。

该设备包含一个8位串行、并行输出

提供8位d型存储的移位寄存器

登记。数据通过移位和

存储寄存器在移位的上升边缘

注册时钟(SRCK)和注册时钟(RCK)，

分别。该设备将数据从串行传输出去

SRCK上升边缘的输出(输出)端口。

存储寄存器将数据传输到输出

当移位寄存器清除(CLR)高时的缓冲区。当

CLR很低，输入移位寄存器被清除。当

当ANSI/IEEE Std 91-1984和IEC G保持较低时，存储寄存器中的数据是发布617-12。